¾È½Â¾ð Çѱ¹°ø´ë ±³¼öÆÀ, °­À¯Àüü ±â¹Ý PIM ¼ÒÀÚ °³¹ß '´«±æ'

¾È½Â¾ð Çѱ¹°ø´ë ³ª³ë¹ÝµµÃ¼°øÇаú ±³¼ö./»çÁøÁ¦°ø=Çѱ¹°ø´ë
¾È½Â¾ð Çѱ¹°ø´ë ³ª³ë¹ÝµµÃ¼°øÇаú ±³¼ö./»çÁøÁ¦°ø=Çѱ¹°ø´ë
Çѱ¹°øÇдëÇб³´Â ÃÖ±Ù ¾È½Â¾ð ³ª³ë¹ÝµµÃ¼°øÇаú ±³¼ö ¿¬±¸ÆÀÀÌ Â÷¼¼´ë Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼¿¡ È°¿ë °¡´ÉÇÑ ·ÎÁ÷ ¿¬»ê°ú ¸Þ¸ð¸® ±â´ÉÀÌ ÅëÇÕµÈ °­À¯Àüü ±â¹Ý ÇÁ·Î¼¼½º-ÀÎ-¸Þ¸ð¸®(PIM) ¼ÒÀÚ¸¦ °³¹ßÇß´Ù°í 12ÀÏ ¹àÇû´Ù.

°­À¯Àüü´Â Àü±âÀûÀ¸·Î´Â Àý¿¬Ã¼ÀÎ À¯ÀüüÀÇ ÀÏÁ¾ÀÌ´Ù. ¿ÜºÎ Àü±âÀå ¾øÀ̵µ Àü±âÀû ºÐ±ØÀ» °¡Áú ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ¿ÜºÎ Àü±âÀå¿¡ ÀÇÇØ ºÐ±Ø ¹æÇâÀÌ ¹Ù²ï´Ù.

ºòµ¥ÀÌÅÍ ±â¹Ý ÀΰøÁö´ÉÀÌ ¹ßÀüÇϸ鼭 ¸Þ¸ð¸®¿Í ÇÁ·Î¼¼¼­°¡ ºÐ¸®µÅ µ¥ÀÌÅ͸¦ ó¸®ÇÏ´Â 'Æù³ëÀ̸¸'(Von Neumann) ÄÄÇ»Æà ½Ã½ºÅÛ ±¸Á¶ÀÇ ÇÑ°è°¡ ³ªÅ¸³ª°í ÀÖ´Ù. ÀÌ¿¡ ÀúÀü·Â, ¸ÖƼ·¹º§ ½ºÀ§Äª, °í¼Ó µ¿ÀÛÀÌ °¡´ÉÇÑ ÇÁ·Î¼¼¼­¿Í ¸Þ¸ð¸®°¡ ÅëÇÕµÈ ½Å°³³ä ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Çʿ伺ÀÌ ´ëµÎµÆ´Ù.

¾È½Â¾ð ±³¼ö¸¦ ºñ·ÔÇØ °í¿ì ¹Ú»ç°úÁ¤, ȲÇöÁÖ Çлý µîÀ¸·Î ±¸¼ºµÈ Çѱ¹°ø´ë ¿¬±¸ÆÀÀº ÇÏÇÁ´½-Áö¸£ÄÚ´½ »êÈ­¹°À» ±â¹ÝÀ¸·Î °­À¯Àüü ÅͳΠÁ¢ÇÕ(FTJ) ÇüŸ¦ ¶í ¸â¸®Áö½ºÅÍ(¸Þ¸ð¸®+·¹Áö½ºÅÍ)¸¦ ±¸ÇöÇß´Ù. ¸ÖƼ·¹º§ ½ºÀ§Äª°ú ½Å·Ú¼ºÀ» È®º¸, Áß°£ ·¹º§(inter-state) °£ ½ºÀ§Äª¿¡ ¼º°øÇß´Ù. ³ª¾Æ°¡ ¼ÒÀÚÀÇ ½ºÀ§Äª Ư¼ºÀ» Á¶ÇÕÇØ 16°³ ³í¸® ¿¬»ê ±â´ÉÀ» Ä«¸£³ë ¸ÊÀ¸·Î Á¦½ÃÇÏ°í, PIM ÀÀ¿ë °¡´É¼ºÀ» °ËÁõÇß´Ù.

¾È ±³¼ö´Â "»õ·Î¿î °³³äÀÇ ÄÄÇ»Æà ½Ã½ºÅÛÀ» ±¸ÇöÇϱâ À§ÇØ PIM ¼ÒÀÚ¿¡ ´ëÇÑ ´Ù¾çÇÑ ¿¬±¸°¡ ÁøÇàµÇ°í ÀÖÁö¸¸ ºñÈֹ߼º ¸ÖƼ·¹º§ÀÇ ½Å·Ú¼º ¹®Á¦¿Í Áß°£ ·¹º§ °£ ½ºÀ§Äª ±¸µ¿Àº ¿©ÀüÈ÷ Ãʱ⠴ܰ踦 ¹þ¾î³ªÁö ¸øÇÏ°í ÀÖ´Ù"¸ç "À̹ø ¿¬±¸°á°ú´Â Â÷¼¼´ë Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ßÀÇ ±â¼úÀû, Çй®Àû µµ¾à¿¡ Å©°Ô ±â¿©ÇÒ °Í"À̶ó°í ¸»Çß´Ù.

ÇÑÆí À̹ø ¿¬±¸´Â ¡â°ú±âºÎ¡¤Çѱ¹¿¬±¸Àç´Ü 'Áß°ß¿¬±¸ÀÚÁö¿ø»ç¾÷' ¡â»ê¾÷ºÎ '¹Ì·¡¹ÝµµÃ¼°³¹ß»ç¾÷' µîÀÇ Áö¿øÀ» ¹Þ¾Æ ¼öÇàµÆ´Ù. ¿¬±¸°á°ú´Â 'Exploring Multi-Bit Logic In-Memory with Memristive HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junctions'¶ó´Â Á¦¸ñÀ¸·Î ÀüÀÚ ¼ÒÀÚ ¹× Àç·á°úÇÐ ºÐ¾ß ±¹Á¦ÇмúÁö '÷´ÜÀüÀÚÀç·á'(Advanced Electronic Materials, IF=6.5)¿¡ °ÔÀçµÆ´Ù.